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【专家介绍】王宏兴教授

2016-10-19 19:30| 发布者: admin| 查看: 1010| 评论: 0

王宏兴教授简介:
  
研究领域或方向

    1. 大面积、高质量宽禁带半导体衬底的研究; 
    2. 电子器件级高质量宽禁带半导体单晶薄膜及掺杂方法的研究; 
    3. 高温、高效、大功率微波器件及高效大功率电力电子器件的研究; 
    4. 基于宽禁带半导体的传感器和成像探测器的研究; 
    5. 新型化学气相沉积(CVD)系统等关键设备的研制。
工作简历

西安交通大学电子与信息学院教授、博士生导师,国家千人计划特聘专家,宽禁带半导体材料与器件研究中心主任。王宏兴教授2001年获日本德岛大学大学院物质工学专攻博士学位;1999年至2003年任日本Nitride Semiconductors Co. Ltd 公司研究员;2003至2004年任日本科学技术振兴机构高级研究员;2004年至2008年任日本Dialight Japan Co. Ltd公司高级研究员、执行董事;2008年至2012年在日本Seki Technotron Corp. 金刚石CVD装置部工艺开发负责人;2008至今任日本高知Kochi FEL Co. Ltd公司技术顾问;2009至今任日本Napra Corp.公司首席顾问。

科研项目

王宏兴教授在日本期间作为高级研究员,团队负责人,技术顾问先后参加和主持了日本通产省,日本学术振兴机构以及日本有关大型公司的重大科研项目和产学研结合项目。回国后主持科技部“863计划”等重大项目。

学术科研

王宏兴教授在III-V族半导体薄膜外延生长及发光器件,大面积金刚石衬底及高质量金刚石薄膜外延生长,碳纳米场致发射阴极、场致发射光源及其他场致发射电子器件,MOCVD设计开发、 特殊直流CVD设计开发、微波等离子体CVD的设计开发等领域做出了许多创新性工作。在Carbon,Journal of crystal growth等杂志和刊物发表文章50余篇,申请日本、美国专利80余项。在2008年的“the Society for Information Display”SID’08 的国际会议上,作为第一作者,发表的文章获得优秀论文奖(论文发表者900人)。1995年作为主要人员获得电子工业部科技进步二等奖,该项目获得国家科技进步三等奖。



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